(SPring-8利用推進協議会)第13回SPring-8次世代先端デバイス研究会/
（JASRI）第114回SPring-8先端利用技術ワークショップ
「先端半導体LSI復興とSPring-8への期待」
日 時：2025年10月29日（水）13時00分〜18時30分
開催形式：現地開催 明治大学 駿河台キャンパス （〒101-8301 東京都千代田区神田駿河台1-1）
研究会：アカデミーコモン8階308E教室， 技術交流会：リバティタワー23階 宮城浩蔵ホール
主 催：（公財）高輝度光科学研究センター（JASRI）
SPring-8利用推進協議会
後 援：(公財)科学技術交流財団 あいちシンクロトロン光センター(AichiSR)
(公財)佐賀県産業振興機構 九州シンクロトロン光研究センター（SAGA-LS）
特定放射光施設ユーザー協同体 (SpRUC)
趣 旨： 半導体復興の機運が高まっている中、本来我が国が寄って立つべき武器となり得る放射光施設が必ずしも有効に活用されていない現状があります。そこで今回の研究会では、産業界の現状も踏まえ放射光を利用した先端半導体デバイス評価をされている研究開発者の方々にご講演いただき、SPring 8の更なる利用推進を図ることを目的とします。
プログラム
13:00～13:40 開会挨拶および最近の先端半導体LSIの動向
研究会主査 小椋 厚志（明治大学）
【座長 木村 滋（JASRI）】
13:40～14:20 「EUVメタルレジストの特徴・反応メカニズム」
山下 良之（国立研究開発法人物質・材料研究機構）
14:20～15:00 「先端半導体デバイス形状計測装置の開発 — SPring-8での基礎検討から製品化まで —」
表 和彦（株式会社リガク）
15:00～15:20 休憩（20分）
【座長 木村 滋（JASRI）】
15:20～16:00 「ハイスループットX線トポグラフィによる半導体ウェーハ評価」
志村 考功（早稲田大学）
16:00～16:40 「電圧印加HAXPESによる金属/絶縁体/半導体構造のオペランド測定」
野平 博司（東京都市大学）
16:40～16:45 閉会挨拶
井上 哲也(JASRI）
17:10～18:30 技術交流会
申込み方法
参加申し込みは締め切りました。 当日受付もしております。お問い合わせは、事務局までご連絡ください。
定員：60名程度
※当日、受付にて現金にてお支払ください。領収書をお渡ししますが、当協議会：免税事業者ゆえ適格請求書発行事業者（インボイス事業者）ではありません。
そのため適格請求書（インボイス）は発行できません。ご了承ください。
申込締切：2025年10月22日（水）12:00
問い合わせ先
SPring-8利用推進協議会研究会事務局（suishin@spring8.or.jp）
〒679-5198 兵庫県佐用郡佐用町光都1丁目1-1
TEL 0791-58-2785 FAX 0791-58-2786
SPring-8利用推進協議会 URL http://www.jasri.jp/iuss/