第４回次世代先端デバイス研究会／第13回SPring-8先端利用技術ワークショップ
日 時：平成２９年３月２１日（火） 13時15分〜18時30分
会 場：ＡＰ品川 京急第2ビル
〒108-0074 東京都港区高輪3-25-23 10階
https://www.tc-forum.co.jp/kanto-area/ap-shinagawa/shn-base/
主 催：（公財）高輝度光科学研究センター(JASRI)
SPring-8利用推進協議会 研究開発委員会
協 賛：光ビームプラットフォーム
趣 旨：微細化による性能向上が難しくなっているといわれながらも、新しい構造、材料の採用により発展を続けるSiデバイスや、その限界を超えるためのⅣ族、Ⅲ－Ⅴ族化合物半導体デバイス技術の研究は実用化に向け着々と進められており、またフレキシブル、低環境負荷、低コストでユビキタス社会に向け期待される次世代半導体としの有機デバイスの研究もますます盛んとなってきています。これらデバイスの材料、デバイス構造、製造プロセス開発での課題解決のために、SPring-8の高輝度なX線を活かした評価は有用な技術です。今回は、パワーデバイスとして開発が加速されているSiC、GaNデバイス、高電子移動度であることから高周波デバイスや配線材料として期待されているグラフェン、近年ますます性能が向上している有機薄膜太陽電池に関する研究と放射光利用事例を紹介します。
プログラム概要
| 13:15～13:20 |
開会挨拶と趣旨説明 研究会主査 吉本 則之（岩手大学 工学部マテリアル工学科） |
| 13:20～14:25 |
先進パワーデバイスにおける新規ゲート絶縁膜開発と放射光利用MOS界面評価事例 渡部 平司（大阪大学 大学院工学研究科） |
| 14:25～15:20 |
吹留 博一（東北大学 電気通信研究所） |
| 15:20～15:30 | 休憩 |
| 15:30～16:25 |
伊澤 誠一郎（自然科学研究機構 分子科学研究所 物質分子科学研究領域 分子機能研究部門） |
| 16:25～17:10 |
産業利用Ⅲビームライン（BL46XU）における先端デバイス評価事例の紹介 小金澤 智之（JASRI） |
| 17:10～17:15 |
閉会挨拶 山川 晃（JASRI） |
| 17:30～18:30 | 技術交流会(会費\1,000の予定 当日受付でお支払い下さい。) |
| SPring-8での課題申請についての個別相談、有用な情報交換の場などとしてご活用下さい。 |
申込方法
定員：５０名（傍聴無料 定員になり次第締め切ります。）
申込み締切：３月１０日（金）
申込は締め切りました。
問い合わせ先
（公財）高輝度光科学研究センター
産業利用推進室 大麻 隆彦 (takahiko.ooasa@spring8.or.jp）
SPring-8利用推進協議会研究会事務局（suishin@spring8.or.jp）
〒679-5198 兵庫県佐用郡佐用町光都1丁目1-1
TEL 0791-58-2785 FAX 0791-58-2786
SPring-8利用推進協議会 URL http://www.jasri.jp/iuss/