SPring-8 次世代先端デバイス研究会（第3回）
‐先端半導体デバイスの開発状況と放射光利用事例‐
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主 催：
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SPring-8 利用推進協議会 研究開発委員会 | ||||||||||||||||||||||
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共 催：
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（公財）高輝度光科学研究センター（JASRI） | ||||||||||||||||||||||
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協 賛：
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光ビームプラットフォーム | ||||||||||||||||||||||
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日 時：
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2016年3月18日（金） 13：20～17：10（研究会）、17：30～19：00（技術交流会） | ||||||||||||||||||||||
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会 場：
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（公社）日本化学会 化学会館 7階ホール（技術交流会：6階601B会議室） 〒101-8307 東京都千代田区神田駿河台1-5 電話：03-3292-6161 |
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アクセス：
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JR中央線・総武線「御茶ノ水」駅 御茶ノ水橋口から徒歩3分 アクセスマップ http://www.chemistry.or.jp/access/ |
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概 要：
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微細化による性能向上が難しくなっているといわれながらも、新しい構造、材料の採用により発展を続けるSiデバイスや、その限界を超えるためのⅣ族、Ⅲ－Ⅴ族化合物半導体デバイス技術の研究は実用化に向け着々と進められている。また、フレキシブル、低環境負荷、低コストでユビキタス社会に向け期待される次世代半導体としの有機デバイスの研究もますます盛んとなってきている。これらデバイスの材料、製造プロセスの性能向上、課題解決のために、SPring-8の高輝度なX線を活かした評価は有用な技術です。今回は、先端CMOSとしてSiデバイス、GeSn、また次世代デバイスとして期待されている有機デバイスに関する研究と放射光利用事例を紹介します。
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プログラム
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13：20～13：30
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開会挨拶 研究会主査 吉本 則之（岩手大学）
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13：30～14：20
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微細化に依らないMOSトランジスタの性能向上へのアプローチ 諏訪 智之（東北大学未来科学技術共同研究センター）
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14：20～14：55
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硬X線光電子分光法（HAXPES）によるゲルマニウムスズ薄膜の 深さ方向化学結合状態評価 臼田 宏治（株式会社東芝）
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14：55～15：10
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休憩 | ||||||||||||||||||||||
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15：10～16：00
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有機分子の機能を利用した新奇フレキシブル熱電材料の探索 中村 雅一（奈良先端科学技術大学院大学）
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16：00～16：35
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電圧印加硬X線光電子分光法を用いた有機薄膜トランジスタの 評価技術の紹介 渡辺 剛（JASRI）
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16：35～17：05
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SPring-8の利用制度ご紹介 廣沢 一郎（JASRI）
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17：05～17：10
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閉会挨拶 山川 晃（JASRI）
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17：30～19：00
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技術交流会 （6階 601B会議室） | ||||||||||||||||||||||
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