第10回SPring-8次世代先端デバイス研究会/
第84回SPring-8先端利用技術ワークショップ
「シリコン半導体製造技術・セラミックスデバイス開発の最前線と放射光利用」

 

日 時:2022年12月20日(火) 13時20分〜18時30分

開催形式:現地開催 AP品川 (〒108-0075 東京都港区港南1-6-31 品川東急ビル 8F)
 研究会:Room F
 技術交流会:Room E ➡11/25更新:新型コロナウイルス感染拡大の状況により中止いたします。

主 催:(公財)高輝度光科学研究センター(JASRI)
  SPring-8利用推進協議会 

後 援:兵庫県立大学 高度産業科学技術研究所
(公財)科学技術交流財団 あいちシンクロトロン光センター
SPring-8ユーザー協同体(SPRUC)

趣 旨: デジタルトランスフォーメーション、スマートモビリティ等々、人間生活の中で電気・電子が関係しないものは無い時代に突入している。一方で「カーボンニュートラル」実現のためには更なる省エネ化も求められており、製品開発側には新たな取り組みが求められています。新機能の付加や現行機能の飛躍的向上のためには、計算科学と精密な材料解析を組み合わせた材料・プロセス開発が必須であり、SPring-8の高輝度放射光は大いに活用できることが期待されています。
今回は、前半に我が国の復権が期待されるシリコン半導体デバイスの製造技術に関する最新動向を、後半では我が国が世界のトップレベルにあるセラミクスデバイスの最近の状況について,それぞれ第一線の研究開発者の方から紹介いただき、SPring-8の更なる利用推進を図りたいと考えています。

プログラム概要

13:20~13:30

開会挨拶

研究会主査 上原 康(JASRI)

 

座長 上原 康(JASRI)

13:30~14:20 EUVリソグラフィの現状と今後の展開
~ニュースバル放射光施設におけるEUVL基盤技術開発~

渡邊 健夫(兵庫県立大学)

14:20~14:50 半導体製造装置メーカーの多角化・多様化する技術開発に関する取組み

早川 崇(東京エレクトロン(株))

14:50~15:05

休憩

 

座長 小金澤 智之(JASRI)

15:05~15:55 放射光XRDを用いたPZT薄膜の逆圧電ひずみの観察

神野 伊策(神戸大学)

15:55~16:25 放射光技術によるMLCC用誘電体中の微量遷移金属の価数解析

西村 仁志((株)村田製作所)

16:25~16:55 BaTiO3系非鉛圧電セラミックス開発における放射光利用

薮田 久人(九州大学)

16:55~17:00

閉会挨拶

山口 章(JASRI)

17:10~18:30

技術交流会
※(11/25更新)新型コロナウイルス感染拡大の状況により中止いたします。

申込方法

定員:50名程度
申込み締切:2022年12月13日(火)12:00(予定)

申込方法:

※職場や学校のセキュリティ設定により、参加登録ボタンから(Googleフォーム)の参加登録ができない場合はこちらからお申込みください。

問い合わせ先

(公財)高輝度光科学研究センター
産業利用・産学連携推進室 上原 康 (yasushi.uehara@spring8.or.jp
SPring-8利用推進協議会研究会事務局(suishin@spring8.or.jp
〒679-5198 兵庫県佐用郡佐用町光都1丁目1-1
TEL 0791-58-2785  FAX 0791-58-2786
SPring-8利用推進協議会 URL http://www.jasri.jp/iuss/