第6回次世代先端デバイス研究会/第32回SPring-8先端利用技術ワークショップ

日 時:平成30年11月19日(月) 13時00分〜19時00分 

会 場:AP品川 京急第2ビル
〒108-0074 東京都港区高輪3-25-23 9階 Mルーム
https://www.tc-forum.co.jp/kanto-area/ap-shinagawa/shn-base/

主 催:(公財)高輝度光科学研究センター(JASRI)
  SPring-8利用推進協議会 

協 賛:光ビームプラットフォーム(予定)

趣 旨:微細化による性能向上が難しくなっているといわれながらも、新しい構造、材料の採用により発展を続けるSiデバイスや、その限界を超えるためのⅣ族、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体デバイス技術の研究は実用化に向け着々と進められており、またフレキシブル、低環境負荷、低コストでユビキタス社会に向け期待される次世代半導体としての有機デバイスの研究もますます盛んとなってきています。これらデバイスの材料、デバイス構造、製造プロセス開発での課題解決のために、SPring-8の高輝度なX線を活かした評価は有用な技術です。 今回は、過酷な環境下で動作可能なSiC FETの開発、パワー・高周波デバイスとして開発の進むワイドギャップ半導体デバイスの特性向上に向けた分析、より高温での信頼性が求められるパワーデバイス実装時の接合部の劣化過程の評価、高い移動度を有する液晶性有機材料をはじめとする有機トランジスタ材料の解析など、製品への適用が進む半導体材料、デバイスの実用時の課題に関する研究と放射光利用事例を紹介する。

プログラム概要

13:00~13:05

開会挨拶

研究会主査 吉本 則之(岩手大学)

13:05~14:05

SiC極限環境エレクトロニクスと放射光による薄膜・界面状態分析

黒木 伸一郎(広島大学)

14:05~14:55

半導体事業における放射光利用分析技術の活用

本谷 宗(三菱電機株式会社)

14:55~15:10

休憩

15:10~16:00

放射光を用いた電子基板接合部における疲労き裂の評価

釣谷 浩之(富山県産業技術研究開発センタ-)

16:00~16:50

有機トランジスタ材料のデバイス評価と薄膜構造解析

山口 裕二(東京化成工業株式会社)

16:50~17:20

BL46XUにおけるHAXPESの特徴と応用事例の紹介

安野 聡(JASRI)

17:20~17:30

閉会挨拶

山川 晃(JASRI)

17:40~19:00

技術交流会(会費¥1,000の予定 当日受付でお支払い下さい。)

SPring-8での課題申請についての個別相談、有用な情報交換の場などとしてご活用下さい。

申込方法

定員:70名(聴講無料 定員になり次第締め切ります。)

申込み締切:11月12日(月)(予定)

問い合わせ先

(公財)高輝度光科学研究センター
産業利用推進室 大麻 隆彦 (takahiko.ooasa@spring8.or.jp
SPring-8利用推進協議会研究会事務局(suishin@spring8.or.jp
〒679-5198 兵庫県佐用郡佐用町光都1丁目1-1
TEL 0791-58-2785  FAX 0791-58-2786
SPring-8利用推進協議会 URL http://www.jasri.jp/iuss/