第5回次世代先端デバイス研究会/第19回SPring-8先端利用技術ワークショップ

日 時:平成29年11月2日(木) 13時00分〜19時00分 

会 場:AP品川 京急第2ビル
〒108-0074 東京都港区高輪3-25-23 10階
https://www.tc-forum.co.jp/kanto-area/ap-shinagawa/shn-base/

主 催:(公財)高輝度光科学研究センター(JASRI)
  SPring-8利用推進協議会 

協 賛:光ビームプラットフォーム

趣 旨:微細化による性能向上が難しくなっているといわれながらも、新しい構造、材料の採用により発展を続けるSiデバイスや、その限界を超えるためのⅣ族、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体デバイス技術の研究は実用化に向け着々と進められており、またフレキシブル、低環境負荷、低コストでユビキタス社会に向け期待される次世代半導体としの有機デバイスの研究もますます盛んとなってきています。これらデバイスの材料、デバイス構造、製造プロセス開発での課題解決のために、SPring-8の高輝度なX線を活かした評価は有用な技術です。今回は、太陽電池やFETへの応用に向けた有機デバイスの最新の研究事例や、Siの2次元結晶として最近注目されているシリセン、機能性絶縁膜として応用の広がる強誘電体薄膜に関する研究と放射光利用事例を紹介します。

プログラム概要

13:00~13:05

開会挨拶

研究会主査 吉本 則之(岩手大学 工学部マテリアル工学科)

13:05~13:55

高性能有機電子デバイスの実現に向けた薄膜構造制御

鈴木 充朗(奈良先端科学技術大学院大学)

13:55~14:45

有機モット絶縁体の微細結晶FETにおける結晶構造と電子状態

酒井 正俊(千葉大学)

14:45~15:00

休憩

15:00~15:50

放射光を用いたシリセンの構造・電子状態解析

高村(山田)由起子(北陸先端科学技術大学院大学)

15:50~16:40

放射光を用いた強誘電体薄膜の結晶構造解析

舟窪 浩(東京工業大学)

16:40~17:20

硬X線光電子分光法を用いた有機トランジスタ動作中の電位分布 オペランド観察に関する技術開発

渡辺 剛(JASRI)

17:20~17:30

閉会挨拶

山川 晃(JASRI)

17:40~19:00

技術交流会(会費¥1,000の予定 当日受付でお支払い下さい。)

SPring-8での課題申請についての個別相談、有用な情報交換の場などとしてご活用下さい。

申込方法

定員:50名(聴講無料 定員になり次第締め切ります。)
申し込みボタン

申込み締切:10月27日(金)(予定)

問い合わせ先

(公財)高輝度光科学研究センター
産業利用推進室 大麻 隆彦 (takahiko.ooasa@spring8.or.jp
SPring-8利用推進協議会研究会事務局(suishin@spring8.or.jp
〒679-5198 兵庫県佐用郡佐用町光都1丁目1-1
TEL 0791-58-2785  FAX 0791-58-2786
SPring-8利用推進協議会 URL http://www.jasri.jp/iuss/