SPring-8 次世代先端デバイス研究会(第2回) ‐硬X線光電子分光(HAXPES)によるデバイス評価‐
主 催:
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SPring-8 利用推進協議会 研究開発委員会 | ||||||||||||||||||||||
共 催:
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(公財)高輝度光科学研究センター(JASRI) | ||||||||||||||||||||||
日 時:
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2015年3月17日(火) 13:20~17:10(研究会)、17:30~19:00(技術交流会) | ||||||||||||||||||||||
会 場:
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研究社英語センタービル地下2階大会議室(技術交流会:地下1階中会議室) 〒162-0825 新宿区神楽坂1-2 電話:03-3269-4331 |
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アクセス:
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JR飯田橋駅西口、または地下鉄飯田橋駅B3出口より徒歩3分 アクセスマップ http://www.kenkyusha.co.jp/modules/11_meetingroom/ |
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概 要:
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SPring-8の高輝度なX線を活かした硬X線光電子分光(HAXPES)は、材料深部の化学状態を測定できるユニークな技術で、金属/半導体、絶縁体/半導体など種々の接合界面がある半導体デバイス評価に有用な技術です。最近ではデバイス内部の電圧印加応答の観察など新たな取り組みが行われています。今回は、種々のデバイスを対象としたHAXPESの最新の利用事例を紹介していただきます。
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プログラム
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13:20~13:30
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開会挨拶 研究会主査 吉本 則之(岩手大学)
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13:30~14:00
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硬X線光電子分光(HAXPES)の特徴とSPring-8 BL46XUのHAXPES装置の紹介 陰地 宏(JASRI)
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14:00~14:35
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硬X線光電子分光法による最先端LSIおよび太陽電池の材料評価 小椋 厚志(明治大学)
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14:35~15:10
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HAXPESによる非晶質酸化物半導体デバイスの評価 安野 聡(JASRI)
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15:10~15:25
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休憩 | ||||||||||||||||||||||
15:25~16:00
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GaN-HEMTのバンド構造解析 野村 健二(株式会社富士通研究所)
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16:00~16:35
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HAXPESによる有機半導体デバイスの評価 渡辺 剛(JASRI)
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16:35~17:05
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SPring-8の利用制度ご紹介 廣沢 一郎(JASRI)
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17:05~17:10
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閉会挨拶 山川 晃(JASRI)
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17:30~19:00
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技術交流会 (地下1階中会議室) | ||||||||||||||||||||||
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